2 ~ 6 inch 4° kwụsịrị-n'akuku P-ụdị 4H-SiC mkpụrụ

Semicera's 2~6 inch 4° off-angle P-type 4H-SiC substrates ka emebere iji gboo mkpa na-eto eto nke ike na-arụ ọrụ dị elu yana ndị na-emepụta ngwaọrụ RF. Ntuzi aka n'akụkụ 4° na-eme ka uto epitaxial kachasị mma, na-eme ka mkpụrụ a bụrụ ezigbo ntọala maka ọtụtụ ngwaọrụ semiconductor, gụnyere MOSFET, IGBT na diodes.

Nke a 2 ~ 6 inch 4 ° off-angle P-type 4H-SiC substrate nwere ihe onwunwe magburu onwe ya, gụnyere elu okpomọkụ conductivity, ezigbo ọkụ eletrik, na nkwụsi ike n'ibu. Ntuzi aka n'akụkụ anya na-enyere aka belata njupụta micropipe ma na-akwalite akwa epitaxial dị nro, nke dị oke mkpa iji melite arụmọrụ na ntụkwasị obi nke ngwaọrụ semiconductor ikpeazụ.

Semicera's 2 ~ 6 inch 4° off-angle P-type 4H-SiC substrates dị n'ụdị dayameta dị iche iche, sitere na sentimita 2 ruo 6 sentimita, iji zute ihe nrụpụta dị iche iche. A na-emezi mkpụrụ anyị nke ọma iji nye ọkwa doping edo edo na njirimara elu dị elu, na-ahụ na wafer ọ bụla na-ezute nkọwa siri ike achọrọ maka ngwa eletrọnịkị dị elu.

Nkwenye nke Semicera maka imepụta ihe ọhụrụ na ịdị mma na-eme ka o doo anya na 2 ~ 6 inch 4 ° off-angle P-type 4H-SiC substrates na-ebuga arụmọrụ na-agbanwe agbanwe n'ọtụtụ ngwa sitere na ngwa elektrọnik gaa na ngwaọrụ dị elu. Ngwaahịa a na-enye ihe ngwọta a pụrụ ịdabere na ya maka ọgbọ na-esote nke ike na-arụ ọrụ nke ọma, semiconductor na-arụ ọrụ dị elu, na-akwado ọganihu nkà na ụzụ na ụlọ ọrụ dị ka ụgbọala, telecommunications, na ume ọhụrụ.