Ngwa 3C-SiC Wafer

Nkọwa dị mkpirikpi:

Semicera 3C-SiC Wafer Substrates na-enye conductivity thermal dị elu yana voltaji ndakpọ eletrik dị elu, dị mma maka ngwa eletrọnịkị ike na ngwa ugboro dị elu. A na-emepụta ihe ndị a nkenke maka ịrụ ọrụ kachasị mma na gburugburu ebe dị njọ, na-ahụ na a pụrụ ịdabere na ya na ịrụ ọrụ nke ọma. Họrọ Semicera maka ngwọta ọhụrụ na nke dị elu.


Nkọwa ngwaahịa

Mkpado ngwaahịa

Semicera 3C-SiC Wafer Substrates ka emebere ya ka ọ nye ikpo okwu siri ike maka ngwa eletrọnịkị na-esote ọgbọ na ngwaọrụ dị elu. N'ịbụ ndị nwere ihe ọkụkụ dị elu na njirimara eletriki, a na-emepụta ihe ndị a iji gboo ihe achọrọ nke teknụzụ ọgbara ọhụrụ.

Ihe owuwu 3C-SiC (Cubic Silicon Carbide) nke Semicera Wafer Substrates na-enye uru pụrụ iche, gụnyere njikwa ọkụ dị elu yana ọnụọgụ mgbasawanye ọkụ dị ala ma e jiri ya tụnyere ihe ndị ọzọ semiconductor. Nke a na-eme ka ha bụrụ nhọrọ magburu onwe ya maka ngwaọrụ ndị na-arụ ọrụ n'okpuru oke okpomọkụ na ọnọdụ ike dị elu.

Site na voltaji ndakpọ eletrik dị elu na nkwụsi ike kemịkalụ dị elu, Semicera 3C-SiC Wafer Substrates na-eme ka arụmọrụ na ntụkwasị obi na-adịte aka. Ngwongwo ndị a dị oke mkpa maka ngwa dị ka radar dị elu, ọkụ ọkụ steeti, na ndị na-atụgharị ike, ebe arụmọrụ na ịdịte aka dị mkpa.

Nkwenye Semicera n'ịdị mma na-egosipụta na usoro nrụpụta nke ọma nke 3C-SiC Wafer Substrates ha, na-ahụ maka ịdị n'otu na ịdị n'otu n'ofe ọ bụla. Nke a ziri ezi na-enye aka n'ịrụ ọrụ na ogologo ndụ nke ngwaọrụ eletrọnịkị arụnyere n'elu ha.

Site n'ịhọrọ Semicera 3C-SiC Wafer Substrates, ndị na-emepụta ihe na-enweta ihe na-egbu egbu nke na-enyere aka ịmepụta ngwa elektrọnik dị ntakịrị, ngwa ngwa na nke ọma. Semicera na-aga n'ihu na-akwado mmepụta teknụzụ site n'inye azịza a pụrụ ịdabere na ya nke na-egbo mkpa na-agbanwe agbanwe nke ụlọ ọrụ semiconductor.

Ihe

Mmepụta

Nnyocha

Dummy

kristal Parameters

Ụdị poly

4H

Njehie nhazi ihu elu

<11-20>4±0.15°

Igwe ọkụ eletrik

Dopant

n-ụdị Nitrogen

Nguzogide

0.015-0.025ohm·cm

Mechanical Parameters

Dayameta

150.0± 0.2mm

Ọkpụrụkpụ

350± 25 μm

Ntuzi aka dị larịị

[1-100]±5°

Ogologo larịị nke isi

47.5 ± 1.5mm

Ụlọ nke abụọ

Ọ dịghị

TTV

≤5 μm

≤10 μm

≤15 μm

LTV

≤3 μm (5mm*5mm)

≤5 μm (5mm*5mm)

≤10 μm (5mm*5mm)

Ụta

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

Warp

≤35 μm

≤45 μm

≤55 μm

Ihu (Si-face) adịghị ike (AFM)

Ra≤0.2nm (5μm*5μm)

Nhazi

Njupụta Micropipe

<1 ea/cm2

<10 nkea/cm2

<15 ea/cm2

Igwe adịghị ọcha

≤5E10atom/cm2

NA

BPD

≤1500 ea/cm2

≤3000 ea/cm2

NA

TSD

≤500 ea/cm2

≤1000 ea/cm2

NA

Ogo ihu

N'ihu

Si

Ngwucha elu

Si-ihu CMP

Ụmụ irighiri ihe

≤60ea/wafer (nha≥0.3μm)

NA

Ọkpụkpụ

≤5ea/mm. Ogologo ngụkọta ≤ Dayameta

Ogologo ngụkọta ≤2* dayameta

NA

Peel oroma / olulu / ntụpọ / striations / mgbawa / mmetọ

Ọ dịghị

NA

Iberibe ibe / indents / mgbaji / hex

Ọ dịghị

Mpaghara polytype

Ọ dịghị

Mpaghara mkpokọta≤20%

Mpaghara mkpokọta≤30%

Akara laser n'ihu

Ọ dịghị

Ogo azụ

Ngwucha azụ

C-ihu CMP

Ọkpụkpụ

≤5ea/mm, Mgbakọ ogologo≤2* dayameta

NA

Nrụrụ azụ (nkịta ihu/indents)

Ọ dịghị

Azụ isi ike

Ra≤0.2nm (5μm*5μm)

Akara laser azụ

1 mm (si n'akụkụ elu)

Ọnụ

Ọnụ

Chamfer

Nkwakọ ngwaahịa

Nkwakọ ngwaahịa

Epi dị njikere na nkwakọ ihe efu

Ngwunye cassette ọtụtụ wafer

* Ihe edeturu: "NA" pụtara enweghị arịrịọ Ihe anaghị ekwupụta nwere ike na-ezo aka na SEMI-STD.

tech_1_2_size
SiC wafers

  • Nke gara aga:
  • Osote: