Semicera 3C-SiC Wafer Substrates ka emebere ya iji nye ikpo okwu siri ike maka ngwa eletrọnịkị nke ọgbọ na-esote yana ngwa ugboro dị elu. N'ịbụ ndị nwere ihe ọkụkụ dị elu na njirimara eletriki, a na-emepụta ihe ndị a iji gboo ihe achọrọ nke teknụzụ ọgbara ọhụrụ.
Ihe owuwu 3C-SiC (Cubic Silicon Carbide) nke Semicera Wafer Substrates na-enye uru pụrụ iche, gụnyere njikwa ọkụ dị elu yana ọnụọgụ mgbasawanye ọkụ dị ala ma e jiri ya tụnyere ihe ndị ọzọ semiconductor. Nke a na-eme ka ha bụrụ nhọrọ magburu onwe ya maka ngwaọrụ ndị na-arụ ọrụ n'okpuru oke okpomọkụ na ọnọdụ ike dị elu.
Site na voltaji ndakpọ eletrik dị elu na nkwụsi ike kemịkalụ dị elu, Semicera 3C-SiC Wafer Substrates na-eme ka arụmọrụ na ntụkwasị obi na-adịte aka. Ngwongwo ndị a dị oke mkpa maka ngwa ndị dị ka radar dị elu, ọkụ ọkụ ọkụ, na ndị na-atụgharị ike, ebe arụmọrụ na ịdịte aka dị mkpa.
Nkwenye Semicera n'ịdị mma na-egosipụta na usoro nrụpụta nke ọma nke 3C-SiC Wafer Substrates ha, na-ahụ maka ịdị n'otu na ịdị n'otu n'ofe ọ bụla. Nke a ziri ezi na-enye aka n'ịrụ ọrụ na ogologo ndụ nke ngwaọrụ eletrọnịkị arụnyere n'elu ha.
Site n'ịhọrọ Semicera 3C-SiC Wafer Substrates, ndị na-emepụta ihe na-enweta ihe na-egbu egbu nke na-enyere aka ịmepụta ngwa elektrọnik dị ntakịrị, ngwa ngwa na nke ọma. Semicera na-aga n'ihu na-akwado mmepụta teknụzụ site n'inye azịza a pụrụ ịdabere na ya nke na-egbo mkpa na-agbanwe agbanwe nke ụlọ ọrụ semiconductor.
| Ihe | Mmepụta | Nnyocha | Dummy |
| kristal Parameters | |||
| Ụdị poly | 4H | ||
| Njehie nhazi ihu elu | <11-20>4±0.15° | ||
| Igwe ọkụ eletrik | |||
| Dopant | n-ụdị Nitrogen | ||
| Nguzogide | 0.015-0.025ohm·cm | ||
| Mechanical Parameters | |||
| Dayameta | 150.0± 0.2mm | ||
| Ọkpụrụkpụ | 350± 25 μm | ||
| Ntuzi aka dị larịị | [1-100]±5° | ||
| Ogologo larịị nke isi | 47.5 ± 1.5mm | ||
| Ụlọ nke abụọ | Ọ dịghị | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm*5mm) | ≤5 μm (5mm*5mm) | ≤10 μm (5mm*5mm) |
| Ụta | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Warp | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Ihu ihu (Si-face) adịghị ike (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Nhazi | |||
| Njupụta Micropipe | <1 ea/cm2 | <10 nkea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| Igwe adịghị ọcha | ≤5E10atom/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Ogo ihu | |||
| N'ihu | Si | ||
| Ngwucha elu | Si-ihu CMP | ||
| Ụmụ irighiri ihe | ≤60ea/wafer (nha≥0.3μm) | NA | |
| Ọkpụkpụ | ≤5ea/mm. Ogologo ngụkọta ≤ Dayameta | Ogologo ngụkọta ≤2* dayameta | NA |
| Peel oroma / olulu / ntụpọ / striations / mgbawa / mmetọ | Ọ dịghị | NA | |
| Iberibe ibe / indents / mgbaji / hex | Ọ dịghị | ||
| Mpaghara polytype | Ọ dịghị | Mpaghara mkpokọta≤20% | Mpaghara mkpokọta≤30% |
| Akara laser n'ihu | Ọ dịghị | ||
| Ogo azụ | |||
| Ngwunye azụ | C-ihu CMP | ||
| Ọkpụkpụ | ≤5ea/mm, Mgbakọ ogologo≤2* dayameta | NA | |
| Nrụrụ azụ (nkịta ihu/indents) | Ọ dịghị | ||
| Azụ isi ike | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Akara laser azụ | 1 mm (si n'akụkụ elu) | ||
| Ọnụ | |||
| Ọnụ | Chamfer | ||
| Nkwakọ ngwaahịa | |||
| Nkwakọ ngwaahịa | Epi dị njikere na nkwakọ ihe efu Ngwunye cassette ọtụtụ wafer | ||
| * Ihe edeturu: "NA" pụtara enweghị arịrịọ Ihe anaghị ekwupụta nwere ike na-ezo aka na SEMI-STD. | |||
