4 ″ 6″ SiC Ingot dị ọcha Semi-Insulating

Nkọwa dị mkpirikpi:

Semicera's 4”6” Semi-Insulating SiC Ingots dị ọcha ka emebere nke ọma maka ngwa eletrọnik na ngwa optoelectronic dị elu. N'igosipụta conductivity thermal dị elu na mgbochi eletriki, ingots ndị a na-enye ntọala siri ike maka ngwaọrụ ndị na-arụ ọrụ dị elu. Semicera na-ahụ maka ịdị mma na ntụkwasị obi na ngwaahịa ọ bụla.


Nkọwa ngwaahịa

Mkpado ngwaahịa

Semicera's 4”6” High Purity Semi-Insulating SiC Ingots bụ nke emebere iji zute ụkpụrụ ziri ezi nke ụlọ ọrụ semiconductor. A na-emepụta ingots ndị a na-elekwasị anya na ịdị ọcha na ịdị ọcha, na-eme ka ha bụrụ nhọrọ dị mma maka ike dị elu na ngwa ngwa ugboro ugboro ebe arụmọrụ dị oke mkpa.

Ngwongwo pụrụ iche nke ingots SiC ndị a, gụnyere nnukwu ikuku ọkụ yana ezigbo mgbochi ọkụ eletrik, na-eme ka ha dabara adaba maka ojiji na ngwa eletrọnịkị na ngwa ngwa ngwa ngwa. Ọdịdị ha na-ekpuchi ọkara na-enye ohere maka ikpo ọkụ ọkụ dị irè na obere nnyonye anya eletrik, na-eduga n'ịdị mma na ihe ndị a pụrụ ịdabere na ya.

Semicera na-eji usoro nrụpụta ọgbara ọhụrụ iji mepụta ingots nwere ogo kristal pụrụ iche na otu. Nke a ziri ezi na-eme ka a mara na enwere ike iji ingot ọ bụla mee ihe n'ụzọ ntụkwasị obi na ngwa nwere mmetụta, dị ka amplifiers dị elu, diodes laser, na ngwaọrụ ndị ọzọ optoelectronic.

Dị na nha inch 4 na 6-inch, Semicera's SiC ingots na-enye mgbanwe achọrọ maka nha mmepụta dị iche iche yana chọrọ teknụzụ. Ma maka nyocha na mmepe ma ọ bụ mmepụta ọtụtụ, ingots ndị a na-enye arụmọrụ na ịdịte aka nke usoro eletrọnịkị ọgbara ọhụrụ chọrọ.

Site na ịhọrọ Semicera's High Purity Semi-Insulating SiC Ingots, ị na-etinye ego na ngwaahịa na-ejikọta sayensị ihe dị elu yana nka n'ichepụta enweghị atụ. Semicera raara onwe ya nye ịkwado ihe ọhụrụ na uto nke ụlọ ọrụ semiconductor, na-enye ihe ndị na-enyere aka ịmepụta ngwaọrụ eletrọnịkị.

Ihe

Mmepụta

Nnyocha

Dummy

kristal Parameters

Ụdị poly

4H

Njehie nhazi ihu elu

<11-20>4±0.15°

Igwe ọkụ eletrik

Dopant

n-ụdị Nitrogen

Nguzogide

0.015-0.025ohm·cm

Mechanical Parameters

Dayameta

150.0± 0.2mm

Ọkpụrụkpụ

350± 25 μm

Ntuzi aka dị larịị

[1-100]±5°

Ogologo larịị nke isi

47.5 ± 1.5mm

Ụlọ nke abụọ

Ọ dịghị

TTV

≤5 μm

≤10 μm

≤15 μm

LTV

≤3 μm (5mm*5mm)

≤5 μm (5mm*5mm)

≤10 μm (5mm*5mm)

Ụta

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

Warp

≤35 μm

≤45 μm

≤55 μm

Ihu ihu (Si-face) adịghị ike (AFM)

Ra≤0.2nm (5μm*5μm)

Nhazi

Njupụta Micropipe

<1 ea/cm2

<10 nkea/cm2

<15 ea/cm2

Igwe adịghị ọcha

≤5E10atom/cm2

NA

BPD

≤1500 ea/cm2

≤3000 ea/cm2

NA

TSD

≤500 ea/cm2

≤1000 ea/cm2

NA

Ogo ihu

N'ihu

Si

Ngwucha elu

Si-ihu CMP

Ụmụ irighiri ihe

≤60ea/wafer (nha≥0.3μm)

NA

Ọkpụkpụ

≤5ea/mm. Ogologo ngụkọta ≤ Dayameta

Ogologo ngụkọta ≤2* dayameta

NA

Peel oroma / olulu / ntụpọ / striations / mgbawa / mmetọ

Ọ dịghị

NA

Iberibe ibe / indents / mgbaji / hex

Ọ dịghị

Mpaghara polytype

Ọ dịghị

Mpaghara mkpokọta≤20%

Mpaghara mkpokọta≤30%

Akara laser n'ihu

Ọ dịghị

Ogo azụ

Ngwunye azụ

C-ihu CMP

Ọkpụkpụ

≤5ea/mm, Mgbakọ ogologo≤2* dayameta

NA

Nrụrụ azụ (nkịta ihu/indents)

Ọ dịghị

Azụ isi ike

Ra≤0.2nm (5μm*5μm)

Akara laser azụ

1 mm (si n'akụkụ elu)

Ọnụ

Ọnụ

Chamfer

Nkwakọ ngwaahịa

Nkwakọ ngwaahịa

Epi dị njikere na nkwakọ ihe efu

Ngwunye cassette ọtụtụ wafer

* Ihe edeturu: "NA" pụtara enweghị arịrịọ Ihe anaghị ekwupụta nwere ike na-ezo aka na SEMI-STD.

tech_1_2_size
SiC wafers

  • Nke gara aga:
  • Osote: