Emebere Semicera's LiNbO3 Bonding Wafer iji gboo nnukwu ihe achọrọ nke nrụpụta semiconductor dị elu. Site na njirimara ya pụrụ iche, gụnyere nguzogide iyi ka elu, nkwụsi ike dị elu na ịdị ọcha pụtara ìhè, wafer a dị mma maka ojiji na ngwa chọrọ nkenke na arụmọrụ na-adịte aka.
N'ime ụlọ ọrụ semiconductor, LiNbO3 Bonding Wafers na-ejikarị eme ihe maka ijikọ obere akwa na ngwaọrụ optoelectronic, sensọ na IC dị elu. A na-eji ha akpọrọ ihe na fotonics na MEMS (Micro-Electromechanical Systems) n'ihi njirimara dielectric ha dị mma yana ikike iguzogide ọnọdụ arụ ọrụ siri ike. Emebere Semicera's LiNbO3 Bonding Wafer iji kwado njikọta oyi akwa, na-abawanye arụmọrụ yana ntụkwasị obi nke ngwaọrụ semiconductor.
| Ngwa ọkụ na ọkụ eletrik nke LiNbO3 | |
| Ebe mgbaze | 1250 ℃ |
| Curie okpomọkụ | 1140 ℃ |
| Thermal conductivity | 38 W/m/K @ 25 ℃ |
| Ọnụọgụ nke mgbasawanye okpomọkụ (@25°C) | // a, 2.0 × 10-6/K //c, 2.2×10-6/K |
| Nguzogide | 2×10-6Ω·cm @ 200 ℃ |
| Dielectric mgbe niile | εS11/ε0=43，εT11/ε0=78 εS33/ε0=28，εT33/ε0= 2 |
| Piezoelectric mgbe niile | D22= 2.04×10-11C/N D33= 19.22×10-11C/N |
| Ọnụọgụ eletrọnịkị | γT33= 32 pm/V, γS33= 31 ehihie/V γT31= 10 pm/V, γS31= 8.6 ehihie/V γT22= 6.8 pm/V, γS22= 3.4 ehihie/V |
| Voltage ọkara ebili mmiri, DC | 3.03 KV 4.02 KV |
Emebere ya site na iji ihe kacha mma, LiNbO3 Bonding Wafer na-eme ka ntụkwasị obi na-agbanwe agbanwe ọbụlagodi n'ọnọdụ oke oke. Nkwụsi ike ya dị elu na-eme ka ọ dabara adaba maka gburugburu ebe okpomọkụ dị elu, dị ka nke a na-ahụ na usoro epitaxy semiconductor. Na mgbakwunye, ịdị ọcha nke wafer na-eme ka mmetọ dị ntakịrị, na-eme ka ọ bụrụ nhọrọ ntụkwasị obi maka ngwa semiconductor dị oke mkpa.
Na Semicera, anyị na-agba mbọ ịnye ngwọta na-eduga ụlọ ọrụ. Anyị LiNbO3 Bonding Wafer na-ewepụta ogologo oge na-enweghị atụ na ike ịrụ ọrụ dị elu maka ngwa chọrọ ịdị ọcha dị elu, iyi nguzogide, na nkwụsi ike ọkụ. Ma maka mmepụta semiconductor dị elu ma ọ bụ teknụzụ ndị ọzọ pụrụ iche, wafer a na-eje ozi dị ka ihe dị mkpa maka nrụpụta ngwaọrụ dị oke ọnụ.
