SemiceraSiC Cantilever Wafer Paddleemebere ya iji gboo ihe achọrọ nke nrụpụta semiconductor ọgbara ọhụrụ. Nke apaddle waferna-enye ike ọrụ dị mma na nguzogide okpomọkụ, nke dị oke mkpa maka ijikwa wafers na gburugburu ebe okpomọkụ dị elu.
Nhazi cantilever SiC na-enyere ntinye wafer ziri ezi, na-ebelata ihe ize ndụ nke mmebi n'oge njikwa. Igwe ọkụ ọkụ ya dị elu na-eme ka o doo anya na wafer na-anọgide na-eguzosi ike ọbụna n'okpuru ọnọdụ dị oke egwu, nke dị oké mkpa maka ịnọgide na-arụ ọrụ mmepụta ihe.
Na mgbakwunye na uru nhazi ya, Semicera'sSiC Cantilever Wafer Paddlena-enyekwa uru dị arọ na ogologo oge. Ihe owuwu dị arọ na-eme ka ọ dị mfe ijikwa na ịbanye n'ime usoro ndị dị ugbu a, ebe ihe onwunwe SiC dị elu na-eme ka ọ dị ogologo oge n'okpuru ọnọdụ ndị na-achọsi ike.
| Njirimara anụ ahụ nke Silicon Carbide recrystallized | |
| Ngwongwo | Uru a na-ahụkarị |
| Okpomọkụ na-arụ ọrụ (°C) | 1600°C (ya na oxygen), 1700°C (mbelata gburugburu ebe obibi) |
| SiC ọdịnaya | > 99.96% |
| Ọdịnaya Si efu | <0.1% |
| Nnukwu njupụta | 2.60-2.70 g / cm3 |
| Porosity pụtara | <16% |
| Ike mkpakọ | > 600 MPa |
| Ike na-ehulata oyi | 80-90 MPa (20°C) |
| Ike na-ehulata ọkụ | 90-100 MPa (1400°C) |
| Mgbasa ọkụ @1500°C | 4,70 10-6/°C |
| Nrụpụta okpomọkụ @1200°C | 23 W/m•K |
| Modulu nke na-agbanwe agbanwe | 240 GPA |
| Mgbochi ujo okpomọkụ | Dị oke mma |
