2 ″ Gallium oxide Substrates

Nkọwa dị mkpirikpi:

2 ″ Gallium oxide Substrates- Kwalite ngwaọrụ semiconductor gị site na iji ihe dị elu nke 2 ″ Gallium Oxide Substrates nke Semicera, emepụtara maka ịrụ ọrụ dị elu na ngwa eletrọnịkị na ngwa UV.


Nkọwa ngwaahịa

Mkpado ngwaahịa

Semiceranwere obi ụtọ inye2" Gallium oxide mkpụrụ, ihe eji egbu egbu emebere iji kwalite arụmọrụ nke ngwaọrụ semiconductor dị elu. Mkpụrụ ndị a, nke sitere na Gallium Oxide (Ga2O3), na-egosipụta bandgap obosara nke ukwuu, na-eme ka ha bụrụ nhọrọ dị mma maka ngwa ike dị elu, ugboro ugboro na UV optoelectronic.

 

Akụkụ ndị bụ isi:

• Bandgap nke ukwuu: Nke2" Gallium oxide mkpụrụnye bandgap pụtara ìhè nke ihe dịka 4.8 eV, na-enye ohere maka voltaji dị elu na arụ ọrụ okpomọkụ, karịrị ike nke ihe semiconductor ọdịnala dị ka silicon.

Voltaji ndakpọ pụrụiche: Ihe ndị a na-enyere ngwaọrụ aka ijikwa voltaji dị elu nke ukwuu, na-eme ka ha zuo oke maka ngwa eletrọnịkị, karịsịa na ngwa voltaji dị elu.

Ọkachamara Thermal Conductivity: Site na nkwụsi ike nke okpomọkụ dị elu, ihe ndị a na-arụ ọrụ na-arụ ọrụ na-arụ ọrụ na-arụ ọrụ ọbụna na gburugburu ebe okpomọkụ dị oke, dị mma maka ngwa ike dị elu na okpomọkụ.

Ihe dị oke mma: Nke2" Gallium oxide mkpụrụna-enye njupụta ntụpọ dị ala na ịdị mma kristal dị elu, na-ahụ na arụmọrụ a pụrụ ịdabere na ya na nke ọma nke ngwaọrụ semiconductor gị.

Ngwa dị iche iche: Ihe ndị a dabara adaba maka ọtụtụ ngwa, gụnyere ike transistor, Schottky diodes, na ngwaọrụ UV-C LED, na-enye ntọala siri ike maka ike na optoelectronic innovations.

 

Mepee ikike nke ngwaọrụ semiconductor gị na Semicera's2" Gallium oxide mkpụrụ. Emebere substrates anyị iji gboo mkpa na-achọsi ike nke ngwa dị elu nke oge a, na-ahụ na arụmọrụ dị elu, ntụkwasị obi, na arụmọrụ. Họrọ Semicera maka ihe ndị semiconductor ọgbara ọhụrụ nke na-akwalite ihe ọhụrụ.

Ihe

Mmepụta

Nnyocha

Dummy

kristal Parameters

Ụdị poly

4H

Njehie nhazi ihu elu

<11-20>4±0.15°

Igwe ọkụ eletrik

Dopant

n-ụdị Nitrogen

Nguzogide

0.015-0.025ohm·cm

Mechanical Parameters

Dayameta

150.0± 0.2mm

Ọkpụrụkpụ

350± 25 μm

Ntuzi aka dị larịị

[1-100]±5°

Ogologo larịị nke isi

47.5 ± 1.5mm

Ụlọ nke abụọ

Ọ dịghị

TTV

≤5 μm

≤10 μm

≤15 μm

LTV

≤3 μm (5mm*5mm)

≤5 μm (5mm*5mm)

≤10 μm (5mm*5mm)

Ụta

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

Warp

≤35 μm

≤45 μm

≤55 μm

Ihu (Si-face) adịghị ike (AFM)

Ra≤0.2nm (5μm*5μm)

Nhazi

Njupụta Micropipe

<1 ea/cm2

<10 nkea/cm2

<15 ea/cm2

Igwe adịghị ọcha

≤5E10atom/cm2

NA

BPD

≤1500 ea/cm2

≤3000 ea/cm2

NA

TSD

≤500 ea/cm2

≤1000 ea/cm2

NA

Ogo ihu

N'ihu

Si

Ngwucha elu

Si-ihu CMP

Ụmụ irighiri ihe

≤60ea/wafer (nha≥0.3μm)

NA

Ọkpụkpụ

≤5ea/mm. Ogologo ngụkọta ≤ Dayameta

Ogologo ngụkọta ≤2* dayameta

NA

Peel oroma / olulu / ntụpọ / striations / mgbawa / mmetọ

Ọ dịghị

NA

Iberibe ibe / indents / mgbaji / hex

Ọ dịghị

Mpaghara polytype

Ọ dịghị

Mpaghara mkpokọta≤20%

Mpaghara mkpokọta≤30%

Akara laser n'ihu

Ọ dịghị

Ogo azụ

Ngwucha azụ

C-ihu CMP

Ọkpụkpụ

≤5ea/mm, Mgbakọ ogologo≤2* dayameta

NA

Nrụrụ azụ (nkịta ihu/indents)

Ọ dịghị

Azụ isi ike

Ra≤0.2nm (5μm*5μm)

Akara laser azụ

1 mm (si n'akụkụ elu)

Ọnụ

Ọnụ

Chamfer

Nkwakọ ngwaahịa

Nkwakọ ngwaahịa

Epi dị njikere na nkwakọ ihe efu

Ngwunye cassette ọtụtụ wafer

* Ihe edeturu: "NA" pụtara enweghị arịrịọ Ihe anaghị ekwupụta nwere ike na-ezo aka na SEMI-STD.

tech_1_2_size
SiC wafers

  • Nke gara aga:
  • Osote: