2 ″ Gallium oxide Substrates

Nkọwa dị mkpirikpi:

2 ″ Gallium oxide Substrates- Kwalite ngwaọrụ semiconductor gị site na iji ihe dị elu nke 2 ″ Gallium Oxide Substrates nke Semicera, emepụtara maka ịrụ ọrụ dị elu na ngwa eletrọnịkị na ngwa UV.


Nkọwa ngwaahịa

Mkpado ngwaahịa

Semiceranwere obi ụtọ inye2" Gallium oxide ihe ndị na-emepụta ihe, ihe eji egbu egbu emebere iji kwalite arụmọrụ nke ngwaọrụ semiconductor dị elu. Mkpụrụ ndị a, nke sitere na Gallium Oxide (Ga2O3), na-egosipụta bandgap obosara nke ukwuu, na-eme ka ha bụrụ nhọrọ dị mma maka ngwa ike dị elu, ugboro ugboro na UV optoelectronic ngwa.

 

Akụkụ ndị bụ isi:

• Bandgap nke ukwuu: Nke2" Gallium oxide ihe ndị na-emepụta ihenye bandgap pụtara ìhè nke ihe dịka 4.8 eV, na-enye ohere maka voltaji dị elu na arụ ọrụ okpomọkụ, karịrị ike nke ihe semiconductor ọdịnala dị ka silicon.

Voltaji ndakpọ pụrụiche: Ihe ndị a na-enyere ngwaọrụ aka ijikwa voltaji dị elu nke ukwuu, na-eme ka ha zuo oke maka ngwa eletrọnịkị, karịsịa na ngwa voltaji dị elu.

Ọkachamara Thermal Conductivity: Site na nkwụsi ike dị elu nke okpomọkụ, ihe ndị a na-arụ ọrụ na-arụ ọrụ na-arụ ọrụ na-arụ ọrụ ọbụna na gburugburu ebe okpomọkụ dị oke, dị mma maka ngwa ike dị elu na okpomọkụ.

Ihe dị oke mma: Nke2" Gallium oxide ihe ndị na-emepụta ihena-enye njupụta ntụpọ dị ala na ịdị mma kristal dị elu, na-ahụ na arụmọrụ a pụrụ ịdabere na ya na nke ọma nke ngwaọrụ semiconductor gị.

Ngwa dị iche iche: Ihe ndị a dabara adaba maka ọtụtụ ngwa, gụnyere ike transistor, Schottky diodes, na ngwaọrụ UV-C LED, na-enye ntọala siri ike maka ike na optoelectronic innovations.

 

Mepee ikike nke ngwaọrụ semiconductor gị na Semicera's2" Gallium oxide ihe ndị na-emepụta ihe. Emebere substrates anyị iji gboo mkpa na-achọsi ike nke ngwa dị elu nke oge a, na-ahụ na arụmọrụ dị elu, ntụkwasị obi, na arụmọrụ. Họrọ Semicera maka ihe ndị semiconductor ọgbara ọhụrụ nke na-akwalite ihe ọhụrụ.

Ihe

Mmepụta

Nnyocha

Dummy

kristal Parameters

Ụdị poly

4H

Njehie nhazi ihu elu

<11-20>4±0.15°

Igwe ọkụ eletrik

Dopant

n-ụdị Nitrogen

Nguzogide

0.015-0.025ohm·cm

Mechanical Parameters

Dayameta

150.0± 0.2mm

Ọkpụrụkpụ

350± 25 μm

Ntuzi aka dị larịị

[1-100]±5°

Ogologo larịị nke isi

47.5 ± 1.5mm

Ụlọ nke abụọ

Ọ dịghị

TTV

≤5 μm

≤10 μm

≤15 μm

LTV

≤3 μm (5mm*5mm)

≤5 μm (5mm*5mm)

≤10 μm (5mm*5mm)

Ụta

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

Warp

≤35 μm

≤45 μm

≤55 μm

Ihu ihu (Si-face) adịghị ike (AFM)

Ra≤0.2nm (5μm*5μm)

Nhazi

Njupụta Micropipe

<1 ea/cm2

<10 nkea/cm2

<15 ea/cm2

Igwe adịghị ọcha

≤5E10atom/cm2

NA

BPD

≤1500 ea/cm2

≤3000 ea/cm2

NA

TSD

≤500 ea/cm2

≤1000 ea/cm2

NA

Ogo ihu

N'ihu

Si

Ngwucha elu

Si-ihu CMP

Ụmụ irighiri ihe

≤60ea/wafer (nha≥0.3μm)

NA

Ọkpụkpụ

≤5ea/mm. Ogologo ngụkọta ≤ Dayameta

Ogologo ngụkọta ≤2* dayameta

NA

Peel oroma / olulu / ntụpọ / striations / mgbawa / mmetọ

Ọ dịghị

NA

Iberibe ibe / indents / mgbaji / hex

Ọ dịghị

Mpaghara polytype

Ọ dịghị

Mpaghara mkpokọta≤20%

Mpaghara mkpokọta≤30%

Akara laser n'ihu

Ọ dịghị

Ogo azụ

Ngwunye azụ

C-ihu CMP

Ọkpụkpụ

≤5ea/mm, Mgbakọ ogologo≤2* dayameta

NA

Nrụrụ azụ (nkịta ihu/indents)

Ọ dịghị

Azụ isi ike

Ra≤0.2nm (5μm*5μm)

Akara laser azụ

1 mm (si n'akụkụ elu)

Ọnụ

Ọnụ

Chamfer

Nkwakọ ngwaahịa

Nkwakọ ngwaahịa

Epi dị njikere na nkwakọ ihe efu

Ngwunye cassette ọtụtụ wafer

* Ihe edeturu: "NA" pụtara enweghị arịrịọ Ihe anaghị ekwupụta nwere ike na-ezo aka na SEMI-STD.

tech_1_2_size
SiC wafers

  • Nke gara aga:
  • Osote: