4 inch N-ụdị SiC mkpụrụ

Nkọwa dị mkpirikpi:

Ụdị SiC nke Semicera's 4 inch N-dị nkenke ka emebere nke ọma maka ịrụ ọrụ ọkụ eletrik na ọkụ dị elu na ngwa eletrọnịkị na ngwa dị elu. Mkpụrụ ndị a na-enye ezigbo conductivity na nkwụsi ike, na-eme ka ha dị mma maka ngwaọrụ semiconductor ọgbọ na-abịa. Tụkwasị Semicera obi maka izi ezi na ịdị mma na ihe dị elu.


Nkọwa ngwaahịa

Mkpado ngwaahịa

Ụdị SiC nke Semicera's 4 inch N ka emebere ka ọ mezuo ụkpụrụ ziri ezi nke ụlọ ọrụ semiconductor. Ngwa ndị a na-enye ntọala dị elu maka ọtụtụ ngwa eletrọnịkị, na-enye conductivity pụrụ iche na ihe ọkụkụ.

Ụdị doping nke ụdị SiC ndị a na-eme ka ọkụ eletrik ha dịkwuo mma, na-eme ka ha dị mma maka ngwa ike dị elu na nke dị elu. Ngwongwo a na-enye ohere maka ịrụ ọrụ nke ọma nke ngwaọrụ dị ka diodes, transistor na amplifiers, ebe ibelata ọnwụ ike dị oke mkpa.

Semicera na-eji usoro nrụpụta ọgbara ọhụrụ iji hụ na mkpụrụ nke ọ bụla gosipụtara ịdị mma elu na ịdị n'otu. Nke a ziri ezi dị oke mkpa maka ngwa na ngwa eletrọnịkị ike, ngwaọrụ microwave na teknụzụ ndị ọzọ na-achọ ịrụ ọrụ ntụkwasị obi n'okpuru ọnọdụ dị oke egwu.

Ịtinye ụdị SiC nke Semicera's N-ụdị n'ime ahịrị mmepụta gị pụtara irite uru site na ihe ndị na-enye mwepu ọkụ na nkwụsi ike eletriki. Ihe ndị a dị mma maka imepụta ihe ndị chọrọ ịdịte aka na arụmọrụ, dị ka sistemụ ntụgharị ike na ihe nkwuputa RF.

Site n'ịhọrọ ụdị SiC Substrates Semicera's 4 inch N, ị na-etinye ego na ngwaahịa na-ejikọta sayensị ihe ọhụrụ yana nka nka. Semicera na-aga n'ihu na-eduzi ụlọ ọrụ ahụ site n'inye ihe ngwọta nke na-akwado mmepe nke teknụzụ semiconductor na-egbutu, na-eme ka arụmọrụ dị elu na ntụkwasị obi.

Ihe

Mmepụta

Nnyocha

Dummy

kristal Parameters

Ụdị poly

4H

Njehie nhazi ihu elu

<11-20>4±0.15°

Igwe ọkụ eletrik

Dopant

n-ụdị Nitrogen

Nguzogide

0.015-0.025ohm·cm

Mechanical Parameters

Dayameta

150.0± 0.2mm

Ọkpụrụkpụ

350± 25 μm

Ntuzi aka dị larịị

[1-100]±5°

Ogologo larịị nke isi

47.5 ± 1.5mm

Ụlọ nke abụọ

Ọ dịghị

TTV

≤5 μm

≤10 μm

≤15 μm

LTV

≤3 μm (5mm*5mm)

≤5 μm (5mm*5mm)

≤10 μm (5mm*5mm)

Ụta

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

Warp

≤35 μm

≤45 μm

≤55 μm

Ihu ihu (Si-face) adịghị ike (AFM)

Ra≤0.2nm (5μm*5μm)

Nhazi

Njupụta Micropipe

<1 ea/cm2

<10 nkea/cm2

<15 ea/cm2

Igwe adịghị ọcha

≤5E10atom/cm2

NA

BPD

≤1500 ea/cm2

≤3000 ea/cm2

NA

TSD

≤500 ea/cm2

≤1000 ea/cm2

NA

Ogo ihu

N'ihu

Si

Ngwucha elu

Si-ihu CMP

Ụmụ irighiri ihe

≤60ea/wafer (nha≥0.3μm)

NA

Ọkpụkpụ

≤5ea/mm. Ogologo ngụkọta ≤ Dayameta

Ogologo ngụkọta ≤2* dayameta

NA

Peel oroma / olulu / ntụpọ / striations / mgbawa / mmetọ

Ọ dịghị

NA

Iberibe ibe / indents / mgbaji / hex

Ọ dịghị

Mpaghara polytype

Ọ dịghị

Mpaghara mkpokọta≤20%

Mpaghara mkpokọta≤30%

Akara laser n'ihu

Ọ dịghị

Ogo azụ

Ngwunye azụ

C-ihu CMP

Ọkpụkpụ

≤5ea/mm, Mgbakọ ogologo≤2* dayameta

NA

Nrụrụ azụ (nkịta ihu/indents)

Ọ dịghị

Azụ isi ike

Ra≤0.2nm (5μm*5μm)

Akara laser azụ

1 mm (si n'akụkụ elu)

Ọnụ

Ọnụ

Chamfer

Nkwakọ ngwaahịa

Nkwakọ ngwaahịa

Epi dị njikere na nkwakọ ihe efu

Ngwunye cassette ọtụtụ wafer

* Ihe edeturu: "NA" pụtara enweghị arịrịọ Ihe anaghị ekwupụta nwere ike na-ezo aka na SEMI-STD.

tech_1_2_size
SiC wafers

  • Nke gara aga:
  • Osote: